技術(shù)編號(hào)：6840321
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及的是一種半導(dǎo)體光電探測(cè)的方法，具體是一種。背景技術(shù)硅電荷耦合器件(硅CCD)是一種性能優(yōu)異、并已成熟的可見及近紅外光(最長到1.1微米)成像器件，紫外及更短波段的探測(cè)可通過在硅電荷耦合器件上涂以合適的發(fā)光材料加以實(shí)現(xiàn)。波長更長的遠(yuǎn)紅外和亞毫米波段(40-1000微米)包含了天體運(yùn)動(dòng)、固體紅外材料中的許多信息，其探測(cè)及成像在天體物理、紅外物理和新材料探索等研究方面具有廣泛的應(yīng)用前景。目前對(duì)半導(dǎo)體遠(yuǎn)紅外探測(cè)器的研究還處于早期階段，在這些波段，商業(yè)化的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。