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技術(shù)編號(hào)：6841203

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本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，特別是涉及第III族氮化物材料體系以及如可能用于藍(lán)激光二極管的方法。背景技術(shù)藍(lán)色激光源的開發(fā)成功宣告了下一代的高密度光學(xué)裝置，包括磁盤存儲(chǔ)器，DVD，等等的實(shí)現(xiàn)。附圖說明圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中有關(guān)的半導(dǎo)體激光裝置的橫截面圖(S.Nakamura，MRS BULLETIN，Vol.23，No.5，pp.37-43，1998)。在藍(lán)寶石基材5上，形成氮化鎵(GaN)緩沖層10，然后形成n-型GaN層15，和0.1μm厚的二氧化硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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