技術編號：6843394
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一般的基板處理技術，特別涉及在硅基板上形成絕緣膜的。在半導體制造技術中，在硅基板上形成絕緣膜的技術是最為基本且重要的技術。特別是對于MOS晶體管的門絕緣膜等，需要非常高質量的絕緣膜。在近階段的超微細化半導體裝置中，隨著微細化的發(fā)展，門絕緣膜的膜厚減少到1nm左右，需要能夠高質量地形成這種薄絕緣膜的技術。背景技術 目前，如MOS晶體管的門絕緣膜所使用的高質量的氧化硅膜是通過對硅基板表面進行熱氧化處理來形成的。在通過這樣形成的熱氧化硅膜中所含有的懸掛...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。