技術(shù)編號(hào)：6843401
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)涉及并要求于2003年2月4日遞交的序列號(hào)為60/445,281的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)的利益，該申請(qǐng)?jiān)谶@里全體參考引入。背景1).領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體加工領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及形成氧氮化硅(SiON或SiOxNy)柵電介質(zhì)、以及利用快速熱處理工藝(RTP)將其集成為疊層?xùn)?gate stack)的方法。2).相關(guān)技術(shù)介紹集成電路顧名思義是由數(shù)百萬有源和無源器件組成，所述器件例如為晶體管、電容器、和電阻器。晶體管100通常包括源極102、漏...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。