技術編號：6843589
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及光電二極管陣列及其制造方法和放射線檢測器。背景技術 就這種光電二極管陣列而言，在現階段，公知有一種具有使光從形成有凸塊電極等面的相反面(背面)入射類型的背面入射型光電二極管陣列(例如參照專利文獻1)。該專利文獻1所揭示的光電二極管陣列是如圖25以及圖26所示那樣的，通過在n型硅基板133上形成方柱狀的p層134而具有pn接合的光電二極管140。對于閃爍器131來說，在形成有光電二極管140的表面(附圖的下側)的背面(附圖的上側)上，經由負電極膜1...
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