技術(shù)編號：6845032
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明通常涉及半導體器件領(lǐng)域，更具體涉及一種用于半導體器件的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。 背景技術(shù)由于半導體器件的收縮，需要降低例如電容器等的構(gòu)件所占用的 面積。為調(diào)節(jié)，與形成在靠近半導體襯底體的晶體管層上的相對，電 容器被形成在晶體管(例如金屬層)上。這種電容器的一個例子是在 上電極和下電極之間包含金屬-絕緣體-金屬(MIM)電介質(zhì)的MIM電 容器?？梢允褂娩X、銅或其合金形成金屬層。通常，在金屬層上形成蓋 層或抗反射涂層(ARC)，并能用作金屬層...
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