技術(shù)編號:6846053
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包括金屬碳化物的柵極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在并入了雙功函數(shù)金屬柵電極的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件中找到了特殊 應(yīng)用。更具體地說,本發(fā)明涉及雙功函數(shù)金屬柵極,其中雙功函數(shù)由 金屬和金屬碳化物提供。本發(fā)明也涉及一種制造本發(fā)明的金屬柵極器件的方法。背景技術(shù)高級的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件越來越多地利用金 屬柵電極來避免通過摻雜的多晶硅(poly-Si)的傳統(tǒng)柵電極觀測的 "多晶硅耗盡"和"硼穿透"效應(yīng)。用于柵極材料的特定金屬的選擇基于 多方面...
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