技術(shù)編號：6846342
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和半導(dǎo)體制備方法；更具體地涉及減少缺陷并且提高性能的晶體管柵電極、它的制造方法。背景技術(shù) 在以更高性能和增加的產(chǎn)量制造集成電路努力中，出現(xiàn)了許多工藝技術(shù)。一種這樣的技術(shù)改進是用犧牲柵電極來改進柵電極結(jié)構(gòu)的幾何結(jié)構(gòu)和可制造性以及性能的新方法。提高集成電路性能的第二種改進涉及包括位于下面的應(yīng)變半導(dǎo)體層的工藝。形成一種器件的典型工藝可以由多個步驟構(gòu)成。已知的和相關(guān)的技術(shù)可以包括下面的步驟。使用初始晶片或襯底，用二氧化硅的薄膜層來首先形成用于處理的...
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