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技術(shù)編號(hào)：6846353

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，且尤其涉及橫向功率MOSFET(lateral powerMOSFET)。背景技術(shù) 用于將功率開關(guān)與控制電路集成在一起的單芯片制程的發(fā)展是電源IC發(fā)展領(lǐng)域中的主要趨勢(shì)。最近，尤其是LDMOS(橫向雙擴(kuò)散MOS)制程被應(yīng)用于制造單片IC。LDMOS制程包括在半導(dǎo)體襯底的表面上執(zhí)行平面擴(kuò)散以形成定向于橫向方向上的主電流路徑。由于橫向雙擴(kuò)散MOS是使用典型IC制程所制造，所以控制電路和橫向雙擴(kuò)散MOS可集成到單片電源IC上。使用具有低厚度E...
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