技術(shù)編號：6846362
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使半導(dǎo)體裝置高耐壓化的技術(shù)，特別地，涉及在高耐壓化的同時使抗破壞性提高的技術(shù)。背景技術(shù) 在功率半導(dǎo)體裝置的作為高耐壓化的有力手段，正在研究降低表面電場(RESURF)結(jié)構(gòu)的元件。圖37的符號101是傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置，通過外延生長，在電阻值小的N型襯底111上形成電阻值大的N型電阻層112。在電阻層112的內(nèi)部表面上形成多個P型而細(xì)長形狀的基極擴(kuò)散區(qū)117，在各基極擴(kuò)散區(qū)117內(nèi)部表面的寬度方向中央位置，配置有表面濃度高于基極擴(kuò)散區(qū)117、P型...
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