技術(shù)編號(hào)：6846365
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件，其設(shè)置在半導(dǎo)體本體中，在所有情況下都具有第一導(dǎo)電類型的至少一個(gè)源區(qū)和至少一個(gè)漏區(qū)，在所有情況下都具有設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的第二導(dǎo)電類型的至少一個(gè)本體區(qū)，以及具有借助絕緣層相對(duì)于半導(dǎo)體本體絕緣的至少一個(gè)柵電極。本發(fā)明還涉及一種制造半導(dǎo)體組件的方法。背景技術(shù) 在廣泛的實(shí)施例中公知了具有晶體管功能的組件，這些實(shí)施例中之一是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)類型。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的情況下，通過將電壓施加到控制電極(柵電極)上來改變電子溝道中的電荷載流子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。