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技術(shù)編號(hào)：6846553

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)，并且更特別地，涉及包括絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)和懸空硅(SONsilicon-on-nothing)結(jié)構(gòu)的組合的半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)，在SOI結(jié)構(gòu)中薄硅層即Si表層(Si over-layer)通過(guò)絕緣區(qū)域而與襯底分開(kāi)，在SON結(jié)構(gòu)中Si表層通過(guò)擴(kuò)展的空隙平面(void plane)或空氣間隙而與襯底分開(kāi)。本發(fā)明還涉及用于形成前述的半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù) 在微電子集成電路(IC)制造中，SOI和SON晶片用于這樣的情形，其中特定...
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