技術編號：6846695
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在基底上沉積的低粗糙度的二氧化硅層的制造方法，和尤其在光學、光電子或電子學領域中應用的包括這種二氧化硅層作為埋層的復合基底或晶片的制造方法。附圖說明圖1A-1E示出了制造這種復合基底所使用的現(xiàn)有技術的方法的不同步驟。根據(jù)圖1A可看出，二氧化硅層2首先沉積在被稱為“源基底”的本體基底1上，這是因為它用于提供隨后構成復合基底頂層的材料。鑒于旨在獲得的復合基底的種類，這種源基底可以是例如硅、鍺化硅、應變硅或鍺。在實現(xiàn)沉積二氧化硅層2所使用的不同技術當中...
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