技術(shù)編號(hào)：6847136
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，更具體地，涉及一種用以形成一高品質(zhì)晶體管的柵極氧化膜或一高品質(zhì)閃速器件的隧道氧化膜的方法。背景技術(shù) 傳統(tǒng)閃速電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)器件的隧道氧化膜及其它內(nèi)存器件的柵極氧化膜在考慮到它們的應(yīng)用時(shí)需要有高水平的品質(zhì)。決定高品質(zhì)的氧化膜的主要因素包括界面陷阱電荷(interface trap charge)及氧化物陷阱電荷(oxide trap charge)的密度。界面陷阱電荷集中存在于硅襯底與氧化膜彼此相鄰的界面處。氧化物陷...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。