技術(shù)編號:6847366
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路(IC)的制造。更具體而言,本發(fā)明涉及一種確定晶片溝槽深度的方法與裝置。 背景技術(shù) 集成電路制造中的操作之一是在硅晶片的表面蝕刻溝槽。此蝕刻操作通常是利用廣為周知的光刻以及等離子體蝕刻技術(shù)而完成。一般而言,這些溝槽的期望深度的范圍是從約0.1微米至3.0微米,而溝槽精確深度的控制是一個(gè)重要的考慮。在等離子體蝕刻過程期間,蝕刻速度可以作為一些蝕刻變量的函數(shù)而變化,例如蝕刻變量可以是處理室部件溫度、處理室狀況,以及晶片抗蝕年限(re...
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