技術(shù)編號：6848421
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于大規(guī)模數(shù)字集成電路，具體涉及一種利用對稱位線補(bǔ)償相變存儲單元陣列寫電流不均勻性的方法。背景技術(shù) 閃存技術(shù)(FLASH)是目前不揮發(fā)存儲器市場中的主流產(chǎn)品，但是FLASH結(jié)構(gòu)中的浮柵由于存儲電荷的需要無法隨著特征尺寸的變小而一直減薄，因此遭遇發(fā)展瓶頸。而相變存儲器作為一種新興的不揮發(fā)存儲技術(shù)，在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、多值實現(xiàn)等諸多方面都具有極大的優(yōu)越性，成為未來不揮發(fā)存儲技術(shù)市場主流產(chǎn)品最有力的競爭者。[1]目前應(yīng)用最廣泛的是...
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