技術(shù)編號:6848423
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種大功率MOS器件以及大功率MOS器件的制造方法,尤其涉及一種深溝槽結(jié)構(gòu)大功率MOS器件及其制造方法。背景技術(shù) 功率MOS器件相對于雙極器件具有更好的集成性,已經(jīng)成為當(dāng)今功率器件發(fā)展的主流。深溝槽型大功率MOS器件相對平面大功率MOS器件,其集成度更高,因而最大限度的滿足了大電流及低開關(guān)損耗的要求,使深溝槽型大功率MOS器件成為功率MOS器件的主流。現(xiàn)在大多數(shù)的高性能大功率MOS器件都是采用深溝槽結(jié)構(gòu)大功率MOS器件。這種大功率MOS器件在低功...
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