技術(shù)編號(hào):6848493
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝,尤其涉及一種制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前道工藝。背景技術(shù) 目前高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件前道注入工藝,包括高壓P阱注入、高壓N阱注入、淺槽隔離結(jié)構(gòu)的制備、高壓DDD-P注入、高壓DDD-B注入、低壓N阱注入、低壓P阱注入等步驟,即在現(xiàn)有制程中,制備柵氧之前,高壓、低壓阱和高壓DDD注入等過程需要6次光刻。因而減少前道注入過程的光刻次數(shù),可以減少工藝步驟,降低成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種制造高壓LCD驅(qū)動(dòng)器件的前...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。