技術編號：6848518
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及磷化銦基異質結構材料與器件多功能緩沖層及其制備方法，更確切地說涉及中紅外波段磷化銦(InP)基InAlAS/InGaA量子級聯(lián)激光器(QCL)的多功能緩沖層及制備方法。屬于半導體材料與器件。背景技術 半導體異質結激光器的光學限制、自由載流子限制以及熱特性是決定激光器性能的關鍵因素，工作在中遠紅外波段的半導體激光器要求襯底材料、有源區(qū)阱層材料、壘層材料，上、下波導包裹層材料具有合適的摻雜濃度、折射率以及精確控制激光器臺面高度以達到最大的光增益。有別...
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