技術編號：6849536
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種，且特別是一種具有規(guī)則分布的超級橫向長晶晶粒的多晶硅薄膜制作方法，以應用于大面積化薄膜晶體管顯示器的制造上。背景技術 多晶硅(poly-silicon)因具有優(yōu)于非晶硅的電氣特性，以及低于單晶硅的成本優(yōu)勢，因而近幾年在薄膜晶體管制造上廣受重視，尤其是在薄膜晶體管驅動液晶顯示器(TFT-LCD)的應用上。然而，多晶硅結晶的粒徑(grain size)大小直接對于電子遷移率(mobility)和組件特性有著很大的影響，因此，如何增大多晶硅的結...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。