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技術(shù)編號(hào)：6849573

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本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體裝置的絕緣膜的方法，以及更特別地涉及一種形成半導(dǎo)體裝置的絕緣膜的方法，該方法可最小化在該絕膜中所產(chǎn)生的缺陷。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體的制備過(guò)程中，絕緣膜是用于內(nèi)層絕緣或內(nèi)部布線絕緣。此絕緣膜使用TEOS(原硅酸四乙酯)、BPSG(硼磷硅玻璃)、SOD(旋涂式介電材料Spin On Dielectric)等。其中，LP(低壓)-TEOS膜具有好的臺(tái)階覆蓋、好的厚度均勻度、好的生產(chǎn)率等。因此，該LP-TEOS膜已廣泛地使用于不需要間隙填補(bǔ)或間...
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