技術(shù)編號：6850834
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及MOS晶體管等的場效應(yīng)型半導(dǎo)體裝置的改進(jìn)技術(shù)。背景技術(shù) 近年，使用通過低溫過程形成的晶體半導(dǎo)體膜(例如，多晶硅膜)形成電流驅(qū)動(dòng)力高的薄膜晶體管的技術(shù)的研究、開發(fā)不斷進(jìn)展。一般地，多晶硅膜是通過激光照射非晶硅膜進(jìn)行結(jié)晶而形成的。但是，這樣形成的多晶硅膜在結(jié)晶時(shí)存在各處成長的結(jié)晶粒子之間的邊界(晶粒間界)隆起、變?yōu)橥黄馉睿哂斜砻娴耐拱甲兇蟮膬A向。在此多晶硅膜的上部形成了柵絕緣膜以及柵極的場效應(yīng)型薄膜晶體管中，在多晶硅膜表面的突起部分，電場集中，容易...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。