技術編號：6851139
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有擊穿保護的晶體管結構。背景技術 單次晶體管耐雪崩擊穿能量(Single-Shot Avalanche Breakdown Energy，EAS)是評估晶體管特性的因素之一，其代表單次的雪崩擊穿(AvalancheBreakdown)發(fā)生時，晶體管所能夠承受的能量，當超過此能量時，晶體管的結溫度(Junction Temperature)將會過高，導致組件內部損壞。一般估算EAS的公式為EAS＝VBR*IAS*TAS其中VBR是晶體管擊穿電...
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