技術(shù)編號(hào)：6851179
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明與半導(dǎo)體元件制程具有廣泛的相關(guān)性，特別涉及一種是關(guān)于應(yīng)變場(chǎng)效晶體管(Strained Field Effect Transistor)及其制作方法。背景技術(shù) 隨著網(wǎng)路通訊蓬勃的發(fā)展，為此新興市場(chǎng)提供具有高效能的寬頻元件與電路元件也日益殷切。由于系統(tǒng)單芯片(System-on-a-Chip，SoC)可提供具有高效能的晶體管與嵌入型高密度記憶體，因此可應(yīng)用系統(tǒng)單芯片來提升寬頻元件的性能，用以協(xié)助加大頻寬并達(dá)到預(yù)期的高傳輸速度與低操作頻率。一系統(tǒng)單芯片(S...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。