技術(shù)編號(hào)：6851185
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體制程，且特別有關(guān)于一種在半導(dǎo)體元件中形成具應(yīng)變異質(zhì)接面(strained heterojunctions)的多層結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù) 應(yīng)變半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)廣泛地應(yīng)用在許多元件，其縮小的能帶間隙可以改善元件效能。包含異質(zhì)接面的多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有助于制造許多不同的電子及光電元件，而雙載流子晶體管(bipolartransistors)是其中最重要的電子元件之一。應(yīng)變異質(zhì)接面半導(dǎo)體元件的另一有利的用途是作為PMOS或NMOS金屬氧化物半導(dǎo)...
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