技術(shù)編號(hào):6851354
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種功率場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法,尤指一種功率結(jié)場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù) 近年來,場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)器件,例如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)或結(jié)場效應(yīng)晶體管(Junction Field Effect Transistor,JFET)等,在其操作性能及制造流程上均已...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。