技術編號：6851867
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，其可適用于例如由氮化物半導體構成的半導體激光元件、發(fā)光二極管或者場效應晶體管集成電路的制造方法中。背景技術 結構式AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、0≤x+y+z≤1)所示的GaN類氮化物半導體(下記為InGaAlN)，具有較寬的禁帶寬度(GaN在室溫下的禁帶寬度為3.4eV)是在綠色、藍色的可視區(qū)域或者稱為紫外的波長范圍內(nèi)可實現(xiàn)高輸出功率發(fā)光二極管的材料，通過由藍色發(fā)光二極管激發(fā)熒光體而得到白色光的白色發(fā)光...
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