技術(shù)編號：6851871
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其是，涉及半導(dǎo)體元件間的隔離構(gòu)造。背景技術(shù) 作為對半導(dǎo)體元件之間進(jìn)行隔離的元件隔離構(gòu)造，例如STI(Shallow Trench Isolation淺溝槽隔離)等溝槽隔離已廣為人知?，F(xiàn)階段，溝槽隔離一般由以下的工序形成。(a)有選擇地蝕刻硅襯底的元件隔離區(qū)域，形成溝槽。(b)通過氧化硅襯底表面，從而在溝槽的內(nèi)壁形成內(nèi)壁氧化膜。(c)向溝槽內(nèi)埋入形成氧化膜后形成隔離氧化膜。在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，形成溝槽隔離后，通常進(jìn)行包含硅襯底的熱氧化處理...
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