技術(shù)編號：6851876
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種諸如氮化物半導體激光元件的半導體元件(element)、一種結(jié)合了此類半導體元件的半導體器件(device)以及一種制造它們的方法。背景技術(shù) 在很多常規(guī)的半導體元件中，通過蝕刻等將半導體生長層的頂部分形成脊狀形狀且夾在用于電流限制的絕緣膜的不同的片之間。這一結(jié)構(gòu)通常稱為脊狀結(jié)構(gòu)。具有此類脊狀結(jié)構(gòu)的半導體元件可以安裝在諸如子座(submount)的安裝構(gòu)件上，例如，半導體元件的襯底側(cè)朝上，其相對側(cè)朝下，在該相對側(cè)上外延生長半導體生長層。這種安裝...
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