技術(shù)編號：6851883
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種納米絲(nanowire)發(fā)光器件及其制造方法，尤其涉及一種低制造成本可生產(chǎn)的并且能用來形成大尺寸器件的。背景技術(shù) 使用氮化鎵(GaN)的發(fā)光二極管(LED)被用作發(fā)光器件。盡管GaN基的LED具有高發(fā)光效率，但它存在與襯底失配的問題，因此使得生產(chǎn)大尺寸的器件變得困難。正在開發(fā)利用納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的技術(shù)。日本專利公開公報No.平10-326888公開了一種包括由硅制成的納米絲的發(fā)光器件以及該發(fā)光器件的制造方法。在催化層例如金沉積到襯底上之后...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。