技術(shù)編號:6851888
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造包含多晶硅(Si)層的薄膜晶體管(TFT)的方法,使用該方法制備的TFT以及包含該TFT的平板顯示器件,更具體地,涉及一種用于制造TFT的方法,該方法通過在結(jié)晶化非晶硅膜之前控制非晶硅膜表面的均勻性為TFT提供了更加均勻的閾值電壓。背景技術(shù) 相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2004年4月29日申請的韓國專利申請No.10-2004-0030255的優(yōu)先權(quán)和利益,這里引用其全部內(nèi)容作為參考。通常,可以在低溫下結(jié)晶非晶硅以形成用于TFT有源層的...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。