技術(shù)編號：6851938
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制作方法，特別有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù) 在制作半導(dǎo)體元件時，是將先于一半導(dǎo)體晶片或一工作部件(workpiece)上形成一主動區(qū)域上，接著依序沉積絕緣層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層，并依序?qū)⑵鋱D案化。半導(dǎo)體元件上方或最后形成的半導(dǎo)體層通常均包含有多個金屬化層，以提供到下方主動區(qū)域間的連接，并作為整個工作部件內(nèi)部連接。一般而言，金屬化層包含有至少一層的金屬連線結(jié)構(gòu)，其包含有多條導(dǎo)線設(shè)于一絕緣材料內(nèi)。在現(xiàn)有技術(shù)中常...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。