技術(shù)編號(hào)：6852199
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，更具體地，涉及一種，該制造方法包括當(dāng)形成半導(dǎo)體層以及源和漏電極的接觸孔、正電極以及源和漏電極的通孔、金屬互連線之間的通孔、或通孔接觸孔時(shí)，進(jìn)行使用高腐蝕速率干法腐蝕和高選擇性干法腐蝕中的至少一種干法腐蝕并且在最終腐蝕過程中進(jìn)行濕法腐蝕，以致接觸孔、通孔或通孔接觸孔可被形成為具有不同圓錐角的多種輪廓，并且當(dāng)進(jìn)行濕法干法處理時(shí)就可以完全去除因腐蝕而產(chǎn)生的腐蝕殘?jiān)?，由此就能夠使接觸孔、通孔和通孔接觸孔具有優(yōu)良的接觸性能。背景技術(shù) 通常，硅薄膜晶體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。