技術(shù)編號：6852900
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過控制晶片邊緣上的蝕刻速率和活性氣體流量在晶片上進(jìn)行完全均一的蝕刻的半導(dǎo)體蝕刻裝置。背景技術(shù) 通常使用制造半導(dǎo)體器件的蝕刻技術(shù)來形成由形成在半導(dǎo)體襯底上的層材料形成的期望的圖案，并需要用于上述處理的蝕刻裝置。特別地，用于形成圖案的蝕刻裝置可以是等離子刻蝕裝置或者干法蝕刻裝置，上述的蝕刻裝置主要用于需要0.15μm下的設(shè)計規(guī)則的技術(shù)。圖1說明干法蝕刻裝置。參照圖1，處理室10包括其上安裝晶片W的靜電卡盤11。下電極12提供在靜電卡盤11下面。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。