技術(shù)編號(hào)：6852915
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。特別是，實(shí)施例涉及一種具有紫外線阻擋層的半導(dǎo)體與形成此種半導(dǎo)體的工藝。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體組件密度的提高，組件幾何結(jié)構(gòu)(geometry)持續(xù)地縮減，這些組件在尺寸上的需求越趨精確。等離子體工藝的技術(shù)運(yùn)用在超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造工藝，以符合這些需求，并且提供了蝕刻與沉積在方向性的改善與范圍較窄的熱預(yù)算控制。等離子體工藝技術(shù)的例子包括等離子體植入、等離子體濺鍍、物理氣相沉積(PVD)、干式蝕刻以及化學(xué)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。