技術(shù)編號(hào):6853039
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過(guò)注氧進(jìn)行量子限制的新結(jié)構(gòu)硅基單電子晶體管,屬于納米電子。背景技術(shù) 隨著CMOS大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展,晶體管數(shù)量的增長(zhǎng)和尺寸的減小已經(jīng)迫使芯片的功率耗散能力趨向極限。如果不能及時(shí)散熱,器件的溫度將不斷升高,工作于不平衡狀態(tài),以至器件被破壞,因此必須減少工作的電子數(shù)量。減小導(dǎo)電溝道的電子流通截面,增大電阻,可以有效地控制電子的數(shù)量。當(dāng)電導(dǎo)的電子輸運(yùn)空間尺寸減小到納米量級(jí)時(shí),將導(dǎo)致器件量子力學(xué)效應(yīng)的顯著增強(qiáng)。根據(jù)測(cè)不準(zhǔn)原理,電子在局域空間的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。