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技術(shù)編號：6853218

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本發(fā)明涉及可適用于MOSFET(絕緣柵型電場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵型雙極晶體管)、雙極晶體管等有源元件或者二極管等無源元件的、兼有高耐壓和大電流電容的縱向功率半導(dǎo)體元件。背景技術(shù) 通常，半導(dǎo)體元件分類為在單面形成有電極的橫向元件；在兩面具有電極的縱向元件?？v向半導(dǎo)體元件在接通狀態(tài)時漂移電流的流動方向與關(guān)閉狀態(tài)時由反偏壓電壓導(dǎo)致的耗盡層(depletion layer)增長的方向相同。在通常的平面型的n溝道縱向MOSFET中，高電阻的n-漂移層部分在...
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