技術(shù)編號(hào)：6854159
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高壓金氧半導(dǎo)體晶體管及混合信號(hào)電路結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種具有低介電常數(shù)材料的內(nèi)連線隔離結(jié)構(gòu)的高壓金氧半導(dǎo)體晶體管及混合信號(hào)電路結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 集成電路(integrated circuits；IC)目前已經(jīng)具有小于0.09微米的生產(chǎn)技術(shù)，未來的發(fā)展不只有在尺寸及整合密度上的進(jìn)步，更朝向?qū)?shù)種半導(dǎo)體元件結(jié)合在單一芯片上的發(fā)展。在系統(tǒng)單芯片(system-on-chip；SOC)的技術(shù)上，不同型態(tài)的微電子元件，例如邏輯元件、模擬元件、記憶體陣列及高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。