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本發(fā)明涉及蝕刻方法及蝕刻裝置，詳細(xì)地講，本發(fā)明涉及能夠適用于半導(dǎo)體裝置制造過程中的元件分離技術(shù)即淺槽隔離(ShallowTrench Isolation；STI)等的蝕刻方法及蝕刻裝置。背景技術(shù) 作為電氣分離形成在硅基板上的元件的技術(shù)，STI已為大家所熟知。在STI中，將氮化硅薄膜等作為掩模，對硅進(jìn)行蝕刻從而形成槽，在槽內(nèi)埋入二氧化硅(SiO2)等的氧化膜后，通過化學(xué)機(jī)械研磨(CMP；Chemical Mechanical Polishing)處理實(shí)施將掩...
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