技術(shù)編號(hào)：6854786
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種被用作電源線路的開(kāi)關(guān)元件的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 近年來(lái)，隨著諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)和移動(dòng)電話之類的電子設(shè)備的小型化，已經(jīng)高密度地安裝電子元件，為此，人們正在進(jìn)行著多項(xiàng)研究，以減小諸如二極管或三極管的半導(dǎo)體器件的安裝面積。在此類半導(dǎo)體器件中，開(kāi)關(guān)MOSFET被用作開(kāi)關(guān)諸如電池的電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)，除了要求其做得小而薄之外，還要求提高其散熱效率和降低開(kāi)態(tài)阻抗(on-resistance)。鑒于此，已經(jīng)提出了一種技術(shù)(例如，參見(jiàn)美國(guó)專利...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。