技術(shù)編號(hào):6855172
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路器件結(jié)構(gòu)及其制造方法,特別涉及一種金屬電容結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù) 目前隨著金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)產(chǎn)品的更新?lián)Q代和產(chǎn)品技術(shù)的發(fā)展,在原有標(biāo)準(zhǔn)0.35微米工藝的基礎(chǔ)上,增加電阻電容乃至電感等選項(xiàng)的產(chǎn)品越來(lái)越普及。采用金屬電容比通常的采用多晶硅-多晶硅電容(PPC電容)的MOS的精度更高,速度更快,更易兼容,金屬電容工藝因而受到廣泛的關(guān)注和應(yīng)用。它只要利用原有的柵極(GATE)結(jié)構(gòu)作為電容下極板,嵌入一層高溫氧化硅介質(zhì)(HTO)絕緣...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。