技術(shù)編號:6855215
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電容,尤其是一種用于半導(dǎo)體器件的金屬電容。背景技術(shù) 在現(xiàn)在CMOS/Bi CMOS集成電路工藝中,MiM(Metal Insulator Metal)金屬電容結(jié)構(gòu)已經(jīng)被廣泛使用。如圖1所示,該器件通過利用用于布線的Metal(金屬層)作為下極板11,在Metal層間介質(zhì)中再追加一層金屬12作為另一極板,以及中間的電容絕緣介質(zhì)13來形成金屬電容,兩極板分別由兩個穿過填充介質(zhì)IMD的填充有金屬材料的通孔14與兩個輸出電極15相連接。由于擊穿電壓和...
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