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技術(shù)編號：6855247

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種緩解MOS晶體管反窄溝道效應(yīng)的方法。背景技術(shù) 在目前常規(guī)的MOS場效應(yīng)管版圖設(shè)計中，一般源漏離子注入?yún)^(qū)是覆蓋整個MOS晶體管區(qū)域的，MOS晶體管所用到的硅區(qū)域是被源漏離子注入?yún)^(qū)所涵蓋的，如圖1(A)所示。但有可能會在運用淺溝道隔離工藝(STI，ShallowTrench Isolation)的MOS場效應(yīng)管中引起較為嚴重的反窄溝道效應(yīng)，該晶體管的閾值電壓(Vt)會下降。這主要是因為反窄溝道效應(yīng)等效于在“主晶體管”兩...
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