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技術(shù)編號(hào)：6856451

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本發(fā)明涉及一種記憶體設(shè)計(jì)，特別是涉及一種利用制作記憶晶胞與邏輯元件的制程的改良式記憶體設(shè)計(jì)。背景技術(shù) 半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)的設(shè)計(jì)為許多集成電路(IC)工業(yè)的科技驅(qū)動(dòng)力。源自于DRAM的許多結(jié)構(gòu)與制程受到廣泛地應(yīng)用。DRAM構(gòu)件將一位元的資料儲(chǔ)存在電容中，其中此電容的存取是通過(guò)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)，而MOSFET的開(kāi)關(guān)則是通過(guò)字元線(xiàn)來(lái)加以控制。MOSFET可從位元線(xiàn)獲得一位元的資料。當(dāng)字元線(xiàn)開(kāi)啟MOSFET時(shí)，通過(guò)位元線(xiàn)...
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