技術編號：6857263
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，更具體地，涉及一種GaN。背景技術 由于襯底和外延層之間晶格不匹配和熱膨脹系數的差異，利用在其上形成外延層的襯底會彎曲且很多晶體缺陷會出現在外延層中。因此，利用外延方法形成單晶半導體材料層時需要克服上述問題。美國專利No.6579359公開了一種利用吸收內應力的多孔緩沖層(porousbuffer layer)的技術。該技術中，多孔緩沖層形成在SiC襯底上，外延層形成在該多孔緩沖層上。因為該緩沖層是多孔的，它吸收由晶格不匹配導致的應力。然而...
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