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技術(shù)編號：6865427

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本發(fā)明涉及一種氮化鎵化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)，用于制造發(fā)射紫外至藍(lán)光或綠光的高功率發(fā)光器件，還涉及制造該半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù) 近年來，作為用于制造發(fā)射短波長光的發(fā)光器件的材料，氮化鎵化合物半導(dǎo)體已經(jīng)引起了興趣。通常，通過例如金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)或氫化物氣相外延(HVPE)的方法，在由氧化物晶體例如藍(lán)寶石單晶、碳化硅單晶或III-V族化合物單晶制成的襯底上生長氮化鎵化合物半導(dǎo)體。目前，工業(yè)中最廣泛采用的晶體生長方法包...
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