技術(shù)編號(hào):6865603
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及靶表面上的裂紋、坑、脫落等。背景技術(shù) 濺射法作為形成薄膜的方法,已是眾所周知的技術(shù)。其基本原理是,在氬氣等的稀薄氣體中,在形成薄膜的基板(陽(yáng)極側(cè))和與之相距不遠(yuǎn)處相對(duì)配置的由薄膜形成物質(zhì)構(gòu)成的靶(陰極側(cè))之間施加電壓,由此使氬氣等離子化,此時(shí)產(chǎn)生的氬離子碰撞作為陰極物質(zhì)的靶,其產(chǎn)生的能量使靶物質(zhì)向外部飛出(敲出),由此,該飛出物質(zhì)在相對(duì)的基板面上形成層壓。利用此濺射原理的薄膜形成裝置,如雙級(jí)偏壓濺射裝置、高頻濺射裝置、等離子濺射裝置等,有很多的改...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。