技術(shù)編號(hào)：6866239
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及一種半導(dǎo)體制造，并且更特別是涉及一種簡(jiǎn)化晶片對(duì)準(zhǔn)的技術(shù)。背景技術(shù) 用于半導(dǎo)體制造的晶片通常由例如塊硅的結(jié)晶材料形成。特別是，每種特定類型的單晶硅(公知為剛玉)生長(zhǎng)成細(xì)長(zhǎng)的長(zhǎng)度，并且從中切割成薄片(例如晶片)。晶片的結(jié)晶結(jié)構(gòu)有利于形成半導(dǎo)體元件，這是由于它有助于控制器件的電氣性能并且在整個(gè)半導(dǎo)體材料中限制均勻的電性能。另外，由于降低器件性能的雜質(zhì)趨于集中在材料的原子結(jié)構(gòu)的不規(guī)則處，結(jié)晶結(jié)構(gòu)的規(guī)則性可提供預(yù)期性極高的器件性能和產(chǎn)量。在硅晶片上形成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。