技術(shù)編號：6866252
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及具有增強電子和空穴遷移率的半導(dǎo)體器件，尤其涉及包括具有增強電子和空穴遷移率的含硅(Si)層的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明也提供形成這種半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 長達三十多年，硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的連續(xù)小型化已經(jīng)驅(qū)動世界范圍的半導(dǎo)體行業(yè)。連續(xù)尺寸縮小的各種終止者已經(jīng)被預(yù)測了幾十年，但是盡管有許多挑戰(zhàn)，創(chuàng)新的歷史已經(jīng)維持摩爾定律。但是，今天存在生長的跡象，即金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管開始到達它們傳統(tǒng)的尺寸縮小極限。連續(xù)的互補金屬氧化物半...
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