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技術(shù)編號：6866254

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本發(fā)明涉及通過利用低電阻的p型磷化硼基半導(dǎo)體層而呈現(xiàn)低的正向電壓的pn結(jié)化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造技術(shù)。本申請要求2004年4月28日提交的日本專利申請No.2004-133515以及2004年5月11日提交的美國臨時申請No.60/569649的優(yōu)先權(quán)，在此引入其內(nèi)容作為參考。背景技術(shù) 迄今，具有包含V族組成元素如氮(元素符號N)的III-V族化合物半導(dǎo)體(例如，III族氮化物半導(dǎo)體)發(fā)光層的發(fā)光二極管(簡寫為LED)和激光二極管(簡寫為LD)公知作為用...
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